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[color=black]当Pout增加时，如果功率放大器的供电电压没有增加，则ACLR的性能指标无法满足要求。
WCDMA的系统级指标（3 GPP）是－34d Bc，为了保持足够的余量（由温度和器件的差异引起），ACLR的值一般定为－38d Bc。
为射频功率放大器供电的降压转换器的主要要求
为射频功率放大器供电的降压转换器具有特殊的功能，与为数字核心处理器供电的降压转换器有很大的差别。它们的差别主要在于工作特性和参数，例如开关式FET导通电阻、电流限值、瞬态反应、运行模式（例如PFM/PWM）、启动时间、静态电流和压降情况。以下实例对这些差异进行说明：
在宽范围输出电压和负载范围内具有高效率
实例：在VIN=4.2V、V o=3.4V、Io =400mA（高射频功率）时，[/color][url=http://www.dzsc.net.cn/LM3205.html][color=black]LM3205[/color][/url][color=black]的效率达到96%，在VIN=3.9V、V o=1.5V、I o=100mA（低射频功率）时，效率为87%。
动态输出电压调节
实例：可使用V con引脚将[/color][url=http://www.dzsc.net.cn/LM3205.html][color=black]LM3205[/color][/url][color=black]的输出电压在0.8V～3.6V之间调节。V con到Vo的电压增益为2.5。
30微秒的输出压摆率和建立时间（每个667微秒发射周期开始处的50微秒窗口期，在这一时间内，必须完成Vcon的调节）。在WCDMA结构中，发射功率按照基站的要求，每667微秒加（或减）1 dB。
在占空比接近100%时的低压降和低纹波
实例：低RDSON （140 m?）的PFET（[/color][url=http://www.dzsc.net.cn/LM3205.html][color=black]LM3205[/color][/url][color=black]）或旁路FET（LM3024）产生低压降，脉冲省略电路在占空比接近100%时的低纹波。
在低输出电压下的低占空比操作
实例：50纳秒的最小导通时间实现了10%占空比的操作，以及0.8V或者更低的输出电压。当然，这取决于V IN的范围。
高开关频率
实例：2MHz的开关频率有助于使用更小型的外部元件，并达到频谱发射要求。
快速导通以满足发射开/关的时标要求
实例：在V 0=3.4V，EN从低到高变化时，[/color][url=http://www.dzsc.net.cn/LM3203.html][color=black]LM3203[/color][/url][color=black]的导通时间为50微秒。
100%的占空比对比旁路模式
当降压转换器以100%的占空比运行时，电压降为：
电压降＝（RON,P+RL）·IO,
在这里，R ON,P是PFET的R DSON，R L是电感器的DCR。对于具有旁路FET的功率放大器电源稳压器，旁路模式的电压降为：
电压降＝（RON,BYP）·IO,
[/color]

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